casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / FT24C04A-USR-B
codice articolo del costruttore | FT24C04A-USR-B |
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Numero di parte futuro | FT-FT24C04A-USR-B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FT24C04A-USR-B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 4Kb (512 x 8) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 550ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT24C04A-USR-B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FT24C04A-USR-B-FT |
GD25D05CKIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CKIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D80CKIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD9FU1G8F2AMGI
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD9FS1G8F2AMGI
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MB85RS1MTPW-G-APEWE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
MB85R4M2TFN-G-ASE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
MB85R8M2TPBS-M-JAE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
MB85RC64TAPN-G-AMEWE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
MB85RS16NPN-G-AMEWE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel