casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FSV12100V
codice articolo del costruttore | FSV12100V |
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Numero di parte futuro | FT-FSV12100V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
FSV12100V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 670mV @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 27.33ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 1124pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FSV12100V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FSV12100V-FT |
FFSP3065A
ON Semiconductor
FFSP08120A
ON Semiconductor
ISL9R1560P2-F085
ON Semiconductor
RHRP15120
ON Semiconductor
RHRP8120
ON Semiconductor
FFP08H60STU
ON Semiconductor
RURP3060
ON Semiconductor
RHRP860-F102
ON Semiconductor
FFP15S60STU
ON Semiconductor
MBR1660
ON Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel