casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FST10060
codice articolo del costruttore | FST10060 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FST10060 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FST10060 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-249AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-249AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FST10060 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FST10060-FT |
IDW32G65C5BXKSA1
Infineon Technologies
IDW40G65C5BXKSA1
Infineon Technologies
BAW79DE6327HTSA1
Infineon Technologies
GSXF120A120S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS015A120S-D4
Global Power Technologies Group
GSXD120A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD160A018S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD160A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A015S1-D3
Global Power Technologies Group
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation