casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FST10040
codice articolo del costruttore | FST10040 |
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Numero di parte futuro | FT-FST10040 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FST10040 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-249AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-249AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FST10040 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FST10040-FT |
IDW24G65C5BXKSA1
Infineon Technologies
IDW30S120FKSA1
Infineon Technologies
IDW32G65C5BXKSA1
Infineon Technologies
IDW40G65C5BXKSA1
Infineon Technologies
BAW79DE6327HTSA1
Infineon Technologies
GSXF120A120S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS015A120S-D4
Global Power Technologies Group
GSXD120A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD160A018S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A020S1-D3
Global Power Technologies Group
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel