casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FST10035
codice articolo del costruttore | FST10035 |
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Numero di parte futuro | FT-FST10035 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FST10035 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-249AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-249AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FST10035 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FST10035-FT |
IDW20S120FKSA1
Infineon Technologies
IDW24G65C5BXKSA1
Infineon Technologies
IDW30S120FKSA1
Infineon Technologies
IDW32G65C5BXKSA1
Infineon Technologies
IDW40G65C5BXKSA1
Infineon Technologies
BAW79DE6327HTSA1
Infineon Technologies
GSXF120A120S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS015A120S-D4
Global Power Technologies Group
GSXD120A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD160A018S1-D3
Global Power Technologies Group
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel