casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS75R12KT3BOSA1
codice articolo del costruttore | FS75R12KT3BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS75R12KT3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS75R12KT3BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 105A |
Potenza - Max | 355W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 5.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS75R12KT3BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS75R12KT3BOSA1-FT |
FZ2400R12HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R17HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R17HP4HOSA2
Infineon Technologies
DF1400R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
DF600R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
DF600R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
DF900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
DF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FD1400R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
FD650R17IE4BOSA2
Infineon Technologies
XCS10XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C7N
Intel
EP2S30F484C3N
Intel
EP4CE22F17C9L
Intel
EP4SGX180DF29C4N
Intel
EP4SGX230DF29C4
Intel
EPF10K50VQC240-1N
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel