casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS35R12W1T4B11BOMA1
codice articolo del costruttore | FS35R12W1T4B11BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS35R12W1T4B11BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS35R12W1T4B11BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 65A |
Potenza - Max | 225W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS35R12W1T4B11BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS35R12W1T4B11BOMA1-FT |
FP15R12KE3BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4B3BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06KL4BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06YE3B4BOMA1
Infineon Technologies
A42MX36-3PQG240I
Microsemi Corporation
AGLN030V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
EP4SE820F43C3
Intel
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A40MX04-PLG84
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation