casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS35R12W1T4B11BOMA1
codice articolo del costruttore | FS35R12W1T4B11BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS35R12W1T4B11BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS35R12W1T4B11BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 65A |
Potenza - Max | 225W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS35R12W1T4B11BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS35R12W1T4B11BOMA1-FT |
FP15R12KE3BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4B3BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06KL4BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06YE3B4BOMA1
Infineon Technologies
A3PN030-Z2QNG68
Microsemi Corporation
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-1
Intel
10CL006YU256I7G
Intel
EP3SE110F1152I4N
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation