casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS225R17OE4BOSA1
codice articolo del costruttore | FS225R17OE4BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS225R17OE4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EconoPACK™+ |
FS225R17OE4BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 350A |
Potenza - Max | 1450W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 225A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 3mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 600pF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS225R17OE4BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS225R17OE4BOSA1-FT |
FP10R06KL4BOMA1
Infineon Technologies
FP10R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FP10R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12KE3BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4B29BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4B3BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12YT3B4BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
XA3S500E-4FT256Q
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG456I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484
Microsemi Corporation
LFX125EB-04FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-17EA-6LFN484E
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C8
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EP4SE230F29C3N
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