casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS225R12OE4PBOSA1
codice articolo del costruttore | FS225R12OE4PBOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS225R12OE4PBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS225R12OE4PBOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 450A |
Potenza - Max | 20mW |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 225A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 3mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS225R12OE4PBOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS225R12OE4PBOSA1-FT |
FMS7G20US60S
ON Semiconductor
FP06R12W1T4B3BOMA1
Infineon Technologies
FP100R06KE3_B16
Infineon Technologies
FP10R06KL4BOMA1
Infineon Technologies
FP10R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FP10R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12KE3BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4B11BOMA1
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FP10R12W1T4B29BOMA1
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FP10R12W1T4B3BOMA1
Infineon Technologies
XC3130A-3PQ100C
Xilinx Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-3FG676C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
10M25DCF256C7G
Intel
10M50DAF256C6G
Intel
5SGSMD4E2H29I2LN
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
10AX057K2F35I1SG
Intel