casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS150R12KT4B9BOSA1
codice articolo del costruttore | FS150R12KT4B9BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS150R12KT4B9BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS150R12KT4B9BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
Potenza - Max | 750W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 9.35nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS150R12KT4B9BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS150R12KT4B9BOSA1-FT |
FMG1G50US60H
ON Semiconductor
FMG1G50US60L
ON Semiconductor
FMG1G75US60H
ON Semiconductor
FMG1G75US60L
ON Semiconductor
FMG2G100US60
ON Semiconductor
FMG2G150US60
ON Semiconductor
FMG2G150US60E
ON Semiconductor
FMG2G200US60
ON Semiconductor
FMG2G300LS60E
ON Semiconductor
FMG2G300US60
ON Semiconductor
LCMXO1200C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K600EF672C1NGZ
Intel
EPF10K250EBC600-3
Intel
5SGXMA4K1F40I2N
Intel
5SEE9H40C3N
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
A42MX09-TQ176A
Microsemi Corporation
10AX057K2F40I2LG
Intel
EP2AGX260FF35I3
Intel