casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS150R12KT4B11BOSA1
codice articolo del costruttore | FS150R12KT4B11BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS150R12KT4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS150R12KT4B11BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
Potenza - Max | 750W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 9.35nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS150R12KT4B11BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS150R12KT4B11BOSA1-FT |
FMG1G100US60L
ON Semiconductor
FMG1G50US60H
ON Semiconductor
FMG1G50US60L
ON Semiconductor
FMG1G75US60H
ON Semiconductor
FMG1G75US60L
ON Semiconductor
FMG2G100US60
ON Semiconductor
FMG2G150US60
ON Semiconductor
FMG2G150US60E
ON Semiconductor
FMG2G200US60
ON Semiconductor
FMG2G300LS60E
ON Semiconductor
EPF10K30ATC144-3N
Intel
ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX048H2F34I2SG
Intel
5SGSED6N2F45I3L
Intel
A1010B-PL44C
Microsemi Corporation
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
EP1AGX20CF780I6
Intel
EP1AGX60DF780I6N
Intel