casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS10R12YE3BOMA1
codice articolo del costruttore | FS10R12YE3BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS10R12YE3BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
FS10R12YE3BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | - |
Termistore NTC | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS10R12YE3BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS10R12YE3BOMA1-FT |
FF800R12KL4CNOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KF6CB2NOSA2
Infineon Technologies
FMG1G100US60H
ON Semiconductor
FMG1G100US60L
ON Semiconductor
FMG1G50US60H
ON Semiconductor
FMG1G50US60L
ON Semiconductor
FMG1G75US60H
ON Semiconductor
FMG1G75US60L
ON Semiconductor
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel