casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS100R07N3E4BOSA1

| codice articolo del costruttore | FS100R07N3E4BOSA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-FS100R07N3E4BOSA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| FS100R07N3E4BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Three Phase Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Potenza - Max | 335W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 100A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.2nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FS100R07N3E4BOSA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | FS100R07N3E4BOSA1-FT |

FF45R12W1J1B11BPSA1
Infineon Technologies

FF500R17KE4BOSA1
Infineon Technologies

FF600R06ME3BOSA1
Infineon Technologies

FF600R12IS4FBOSA1
Infineon Technologies

FF600R12KE3NOSA1
Infineon Technologies

FF600R12ME4AB11BOSA1
Infineon Technologies

FF600R12ME4B11BPSA1
Infineon Technologies

FF600R12ME4B72BOSA1
Infineon Technologies

FF600R12ME4CB11BOSA1
Infineon Technologies

FF600R12ME4CPB11BPSA1
Infineon Technologies

EX64-TQ64A
Microsemi Corporation

EPF8820ATC144-2N
Intel

LFE2-12SE-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation

5SGXEA7K3F40I3LN
Intel

5SGXMA7N2F45C3N
Intel

XC7VX690T-2FFG1158I
Xilinx Inc.

XC7V585T-2FFG1761C
Xilinx Inc.

M2GL060-1FGG676
Microsemi Corporation

5AGXFA5H4F35C5N
Intel