casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FR16DR02
codice articolo del costruttore | FR16DR02 |
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Numero di parte futuro | FT-FR16DR02 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FR16DR02 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-4 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FR16DR02 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FR16DR02-FT |
1N3213
GeneSiC Semiconductor
1N3213R
GeneSiC Semiconductor
1N3289A
GeneSiC Semiconductor
1N3289AR
GeneSiC Semiconductor
1N3291A
GeneSiC Semiconductor
1N3291AR
GeneSiC Semiconductor
1N3293A
GeneSiC Semiconductor
1N3293AR
GeneSiC Semiconductor
1N3294A
GeneSiC Semiconductor
1N3294AR
GeneSiC Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel