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ON Semiconductor FQU5N60CTU

Numero parte MFG
FQU5N60CTU
quantità disponibile
21330 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.152
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
QFET® MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FQU5N60CTU specificazioni

codice articolo del costruttore FQU5N60CTU
Numero di parte futuro FT-FQU5N60CTU
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQU5N60CTU Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 49W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I-PAK
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQU5N60CTU Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FQU5N60CTU-FT

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