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ON Semiconductor FQT7N10LTF

Numero parte MFG
FQT7N10LTF
quantità disponibile
65620 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.163136
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
QFET® MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FQT7N10LTF specificazioni

codice articolo del costruttore FQT7N10LTF
Numero di parte futuro FT-FQT7N10LTF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQT7N10LTF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223-4
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQT7N10LTF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FQT7N10LTF-FT

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