casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQT3P20TF
codice articolo del costruttore | FQT3P20TF |
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Numero di parte futuro | FT-FQT3P20TF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQT3P20TF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 670mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 Ohm @ 335mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQT3P20TF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQT3P20TF-FT |
FQU8N25TU
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FQU8P10TU
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XC4VLX40-11FFG1148I
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A3P1000-FGG144T
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