casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQT13N06LTF
codice articolo del costruttore | FQT13N06LTF |
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Numero di parte futuro | FT-FQT13N06LTF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQT13N06LTF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQT13N06LTF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQT13N06LTF-FT |
HUF75321D3
ON Semiconductor
HUF75329D3
ON Semiconductor
HUF75617D3
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XC3S50-4TQG144I
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XC3S5000-4FGG676I
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