casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQPF4N90CT
codice articolo del costruttore | FQPF4N90CT |
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Numero di parte futuro | FT-FQPF4N90CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQPF4N90CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 47W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF4N90CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQPF4N90CT-FT |
FDPF10N50UT
ON Semiconductor
FDPF10N60ZUT
ON Semiconductor
FDPF12N35
ON Semiconductor
FDPF12N50NZT
ON Semiconductor
FDPF14N30T
ON Semiconductor
FDPF17N45T
ON Semiconductor
FDPF17N60NT
ON Semiconductor
FDPF18N20FT-G
ON Semiconductor
FDPF3N50NZ
ON Semiconductor
FDPF52N20T
ON Semiconductor
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel