casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQPF12P20YDTU
codice articolo del costruttore | FQPF12P20YDTU |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FQPF12P20YDTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQPF12P20YDTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470 mOhm @ 3.65A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF12P20YDTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQPF12P20YDTU-FT |
FCPF22N60NT
ON Semiconductor
FQPF10N50CF
ON Semiconductor
FCPF16N60
ON Semiconductor
FQPF8N60CFT
ON Semiconductor
FQPF8N60C
ON Semiconductor
FCPF9N60NT
ON Semiconductor
FDPF14N30
ON Semiconductor
FQPF5N90
ON Semiconductor
FCPF11N60
ON Semiconductor
FQPF10N60C
ON Semiconductor
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel