casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQPF12N60

| codice articolo del costruttore | FQPF12N60 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-FQPF12N60 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | QFET® |
| FQPF12N60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 55W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FQPF12N60 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | FQPF12N60-FT |

FQPF45N15V2
ON Semiconductor

FDPF18N20FT
ON Semiconductor

FDPF20N50
ON Semiconductor

FDPF770N15A
ON Semiconductor

FCPF150N65F
ON Semiconductor

FCPF190N65FL1
ON Semiconductor

FCPF22N60NT
ON Semiconductor

FQPF10N50CF
ON Semiconductor

FCPF16N60
ON Semiconductor

FQPF8N60CFT
ON Semiconductor

XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.

XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.

AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation

LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation

A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation

5SGSED8N2F45I2
Intel

5SGXEBBR2H43I3L
Intel

LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation

EPF10K10QC208-3N
Intel