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ON Semiconductor FQPF12N60T

Name: FQPF12N60T
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQPF12N60T
Availability: InStock
Rating: 5.0 (38 reviews)

Numero parte MFG: FQPF12N60T

quantità disponibile: 51050 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: QFET® MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FQPF12N60T.pdf

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FQPF12N60T specificazioni

codice articolo del costruttore	FQPF12N60T
Numero di parte futuro	FT-FQPF12N60T
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQPF12N60T Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	55W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220F
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQPF12N60T Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FQPF12N60T-FT

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