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ON Semiconductor FQP4N90

Numero parte MFG
FQP4N90
quantità disponibile
26560 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
QFET® MOSFET N-CH 900V 4.2A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-FQP4N90
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQP4N90 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQP4N90 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FQP4N90-FT

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