codice articolo del costruttore | FQP3N60 |
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Numero di parte futuro | FT-FQP3N60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQP3N60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 75W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP3N60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQP3N60-FT |
FCP11N60
ON Semiconductor
FCP125N60E
ON Semiconductor
FCP170N60
ON Semiconductor
FCP190N60-GF102
ON Semiconductor
FCP20N60_F080
ON Semiconductor
FCP20N60_G
ON Semiconductor
FCP220N80
ON Semiconductor
FCP25N60N
ON Semiconductor
FCP260N60E
ON Semiconductor
FCP380N60E
ON Semiconductor
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel