casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQP2P40-F080
codice articolo del costruttore | FQP2P40-F080 |
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Numero di parte futuro | FT-FQP2P40-F080 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQP2P40-F080 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP2P40-F080 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQP2P40-F080-FT |
FQPF9N25CT
ON Semiconductor
FQPF9N30
ON Semiconductor
FQPF9N50
ON Semiconductor
FQPF9N50CT
ON Semiconductor
FQPF9N50T
ON Semiconductor
FQPF9N90C
ON Semiconductor
FQPF9P25
ON Semiconductor
IRFS540A
ON Semiconductor
IRFS614B_FP001
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IRFS634B_FP001
ON Semiconductor
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel