casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQD12P10TM
codice articolo del costruttore | FQD12P10TM |
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Numero di parte futuro | FT-FQD12P10TM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQD12P10TM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 4.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD12P10TM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQD12P10TM-FT |
AUIRLR024Z
Infineon Technologies
AUIRLR024ZTRL
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AUIRLR120N
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AUIRLR120NTRL
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AUIRLR2703
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AUIRLR2703TRL
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AUIRLR2905
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AUIRLR2905TRL
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AUIRLR2905Z
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AUIRLR2908
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XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
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APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
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XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel