casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQD12P10TF
codice articolo del costruttore | FQD12P10TF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FQD12P10TF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQD12P10TF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 4.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD12P10TF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQD12P10TF-FT |
AUIRLR024NTRL
Infineon Technologies
AUIRLR024Z
Infineon Technologies
AUIRLR024ZTRL
Infineon Technologies
AUIRLR120N
Infineon Technologies
AUIRLR120NTRL
Infineon Technologies
AUIRLR2703
Infineon Technologies
AUIRLR2703TRL
Infineon Technologies
AUIRLR2905
Infineon Technologies
AUIRLR2905TRL
Infineon Technologies
AUIRLR2905Z
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel