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ON Semiconductor FQD12N20LTM
- Numero parte MFG
- FQD12N20LTM
- quantità disponibile
- 34100 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.362112
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- QFET® MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- FQD12N20LTM.pdf
FQD12N20LTM specificazioni
| codice articolo del costruttore | FQD12N20LTM |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-FQD12N20LTM |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | QFET® |
| FQD12N20LTM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FQD12N20LTM Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | FQD12N20LTM-FT |
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