casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQB4N90TM
codice articolo del costruttore | FQB4N90TM |
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Numero di parte futuro | FT-FQB4N90TM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQB4N90TM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 Ohm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB4N90TM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQB4N90TM-FT |
FDB24AN06LA0
ON Semiconductor
FDB2570
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A54SX32A-1TQG144
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A3P600L-1FGG484
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Microsemi Corporation
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AGLN250V5-VQ100I
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LFXP6E-3Q208C
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5SGSMD4H3F35C4N
Intel