casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQB34N20LTM
codice articolo del costruttore | FQB34N20LTM |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FQB34N20LTM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQB34N20LTM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 15.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB34N20LTM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQB34N20LTM-FT |
FDB3632
ON Semiconductor
FQB5N90TM
ON Semiconductor
HUFA75645S3S
ON Semiconductor
FDB047N10
ON Semiconductor
FQB22P10TM
ON Semiconductor
FQB55N10TM
ON Semiconductor
FDB13AN06A0
ON Semiconductor
FDB2614
ON Semiconductor
FDB8447L
ON Semiconductor
FQB12P20TM
ON Semiconductor
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel