casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FP35R12KT4B16BOSA1
codice articolo del costruttore | FP35R12KT4B16BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FP35R12KT4B16BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FP35R12KT4B16BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Potenza - Max | 210W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP35R12KT4B16BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FP35R12KT4B16BOSA1-FT |
GHIS080A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS030A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS040A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS060A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS060A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS080A120S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS030A120S-A1
Global Power Technologies Group
GSID100A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID150A120S5C1
Global Power Technologies Group
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG676I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
AT40K40-2DQC
Microchip Technology
EP20K300EFC672-2
Intel
5CEFA7F27C7N
Intel
10CL055ZF484I8G
Intel
EP3CLS70F484C8N
Intel
AX1000-2FG676I
Microsemi Corporation
A3P250-FGG144
Microsemi Corporation