casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FP15R12KT3BOSA1
codice articolo del costruttore | FP15R12KT3BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FP15R12KT3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FP15R12KT3BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 18A |
Potenza - Max | 83.5W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 600pF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP15R12KT3BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FP15R12KT3BOSA1-FT |
BSM50GP120BOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
GHIS040A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS040A060S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS060A120S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A060S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS040A120S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS060A060S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS030A120S-A2
Global Power Technologies Group
XA3S500E-4FT256Q
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG456I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484
Microsemi Corporation
LFX125EB-04FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-17EA-6LFN484E
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C8
Intel
EP4SE230F29C3N
Intel