casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FP15R12KT3BOSA1
codice articolo del costruttore | FP15R12KT3BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FP15R12KT3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FP15R12KT3BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 18A |
Potenza - Max | 83.5W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 600pF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP15R12KT3BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FP15R12KT3BOSA1-FT |
BSM50GP120BOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
GHIS040A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS040A060S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS060A120S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A060S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS040A120S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS060A060S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS030A120S-A2
Global Power Technologies Group
XC3S400-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C6N
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
5SGXEA9N2F45I3LN
Intel
LFE2-12SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EP1S60F1508C7
Intel