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codice articolo del costruttore | FP1109B1-R180-R |
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Numero di parte futuro | FT-FP1109B1-R180-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FP1109 |
FP1109B1-R180-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 180nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 55A |
Corrente - Saturazione | 49A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 0.19 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.433" L x 0.323" W (11.00mm x 8.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.354" (9.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP1109B1-R180-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FP1109B1-R180-R-FT |
CTX82-2-R
Eaton - Electronics Division
CW160808-R47G
Bourns Inc.
DC12G-01-R
Eaton - Electronics Division
DC12G-02-R
Eaton - Electronics Division
DC13G-00-R
Eaton - Electronics Division
DC13G-01-R
Eaton - Electronics Division
DC13G-03-R
Eaton - Electronics Division
DC13G-04-R
Eaton - Electronics Division
DC14G-00-R
Eaton - Electronics Division
DC14G-01-R
Eaton - Electronics Division
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel