casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Triac, uscita SCR / FODM3011
codice articolo del costruttore | FODM3011 |
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Numero di parte futuro | FT-FODM3011 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FODM3011 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di uscita | Triac |
Circuito Zero Crossing | No |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 3750Vrms |
Voltaggio - Off State | 250V |
Statico dV / dt (Min) | 10V/µs (Typ) |
Corrente - LED Trigger (Ift) (Max) | 10mA |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 70mA |
Corrente: attesa (Ih) | 300µA (Typ) |
Accendi il tempo | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMD |
approvazioni | BSI, CSA, UL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FODM3011 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FODM3011-FT |
TLP266J(E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(V4,E
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TLP266J(V4-TPL,E
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TLP266J(V4-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(V4T7,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(V4T7TL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(V4T7TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP267J(E
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LCMXO640C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S150-5FGG256C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
EP1K100FC484-3
Intel
EP2AGZ300FH29C4N
Intel
5SGXEB5R2F43C2LN
Intel
EP3SL150F1152I3N
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC6E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation