casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Triac, uscita SCR / FODM3011V
codice articolo del costruttore | FODM3011V |
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Numero di parte futuro | FT-FODM3011V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FODM3011V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di uscita | Triac |
Circuito Zero Crossing | No |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 3750Vrms |
Voltaggio - Off State | 250V |
Statico dV / dt (Min) | 10V/µs (Typ) |
Corrente - LED Trigger (Ift) (Max) | 10mA |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 70mA |
Corrente: attesa (Ih) | 300µA (Typ) |
Accendi il tempo | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMD |
approvazioni | BSI, CSA, UL, VDE |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FODM3011V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FODM3011V-FT |
TLP267J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP267J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP268J(E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP268J(T2-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP268J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP268J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP525G-2(F)
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PR36MF51NSZF
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PR39MF22YSZF
Sharp Microelectronics
PR49MF11NSZF
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EPF10K30ETC144-1X
Intel
XC6SLX150-2FGG900C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FG484I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-1CQ256M
Microsemi Corporation
XC5VLX110-1FF1760C
Xilinx Inc.
A40MX04-FPQG100
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30F780C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2LN
Intel