casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Triac, uscita SCR / FODM3011R1_NF098
codice articolo del costruttore | FODM3011R1_NF098 |
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Numero di parte futuro | FT-FODM3011R1_NF098 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FODM3011R1_NF098 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di uscita | Triac |
Circuito Zero Crossing | No |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 3750Vrms |
Voltaggio - Off State | 250V |
Statico dV / dt (Min) | 10V/µs (Typ) |
Corrente - LED Trigger (Ift) (Max) | 10mA |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 70mA |
Corrente: attesa (Ih) | 300µA (Typ) |
Accendi il tempo | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMD |
approvazioni | cUR, UR |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FODM3011R1_NF098 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FODM3011R1_NF098-FT |
TLP266J(V4,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(V4-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(V4-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(V4T7,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(V4T7TL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(V4T7TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP267J(E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP267J(T2-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP267J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP267J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
A40MX02-1VQ80I
Microsemi Corporation
EP1K50TC144-3
Intel
XC6SLX150-L1CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-4CSG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-2PQ208
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10CL080ZF484I8G
Intel
EP1K30FC256-3N
Intel
LFE2-70E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX530HH35I3
Intel