casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Triac, uscita SCR / FODM3010R3V
codice articolo del costruttore | FODM3010R3V |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FODM3010R3V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FODM3010R3V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di uscita | Triac |
Circuito Zero Crossing | No |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 3750Vrms |
Voltaggio - Off State | 250V |
Statico dV / dt (Min) | 10V/µs (Typ) |
Corrente - LED Trigger (Ift) (Max) | 15mA |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 70mA |
Corrente: attesa (Ih) | 300µA (Typ) |
Accendi il tempo | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMD |
approvazioni | BSI, CSA, UL, VDE |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FODM3010R3V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FODM3010R3V-FT |
TLP265J(V4-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP265J(V4T7,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP265J(V4T7TL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP265J(V4T7TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(V4,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(V4-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(V4-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG256A
Microsemi Corporation
EP1M120F484C7
Intel
EP3SL150F1152I3
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC4VLX80-10FFG1148I
Xilinx Inc.
10AX115R3F40E2LG
Intel
EP20K400CB652C8
Intel
EPF10K130EBC356-2
Intel