casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Triac, uscita SCR / FODM3010R2V
codice articolo del costruttore | FODM3010R2V |
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Numero di parte futuro | FT-FODM3010R2V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FODM3010R2V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di uscita | Triac |
Circuito Zero Crossing | No |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 3750Vrms |
Voltaggio - Off State | 250V |
Statico dV / dt (Min) | 10V/µs (Typ) |
Corrente - LED Trigger (Ift) (Max) | 15mA |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 70mA |
Corrente: attesa (Ih) | 300µA (Typ) |
Accendi il tempo | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMD |
approvazioni | BSI, CSA, UL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FODM3010R2V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FODM3010R2V-FT |
TLP265J(V4,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP265J(V4-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP265J(V4-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP265J(V4T7,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP265J(V4T7TL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP265J(V4T7TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(V4,E
Toshiba Semiconductor and Storage
A1415A-PQ100M
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-2FG676C
Xilinx Inc.
XC4008E-3PQ208I
Xilinx Inc.
APA300-FGG256M
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQ208M
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7N
Intel
XC4VLX25-11FFG676C
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation