casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / FOD817B
codice articolo del costruttore | FOD817B |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FOD817B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FOD817B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 130% @ 5mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | 260% @ 5mA |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 4µs, 3µs |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor |
Tensione - Uscita (max) | 70V |
Corrente - Uscita / Canale | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 50mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FOD817B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FOD817B-FT |
TLP624LF1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP626(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP2703(E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP2703(TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP372(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
4N25(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP632(GB,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP630(GB,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
4N35(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP631(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
EP1K10TC100-2NGZ
Intel
M1AGL250V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX290KF43C3N
Intel
A42MX24-1PL84
Microsemi Corporation
A40MX04-2PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-1300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N2F40I2LG
Intel
EPF6024AQC240-1
Intel