casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / FOD817B300W
codice articolo del costruttore | FOD817B300W |
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Numero di parte futuro | FT-FOD817B300W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FOD817B300W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 130% @ 5mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | 260% @ 5mA |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 4µs, 3µs |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor |
Tensione - Uscita (max) | 70V |
Corrente - Uscita / Canale | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 50mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FOD817B300W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FOD817B300W-FT |
H11AV2AM
ON Semiconductor
H11AV2AVM
ON Semiconductor
H11AV2FM
ON Semiconductor
H11AV2FR2M
ON Semiconductor
H11AV2FR2VM
ON Semiconductor
H11AV2FVM
ON Semiconductor
H11AV2M
ON Semiconductor
H11AV2VM
ON Semiconductor
H11G2TVM
ON Semiconductor
H11G2VM
ON Semiconductor
LCMXO2280C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-4FG320I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FFG1152I
Xilinx Inc.
XC7A50T-3CPG236E
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA9F23C7N
Intel