casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / FOD817B300W
codice articolo del costruttore | FOD817B300W |
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Numero di parte futuro | FT-FOD817B300W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FOD817B300W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 130% @ 5mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | 260% @ 5mA |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 4µs, 3µs |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor |
Tensione - Uscita (max) | 70V |
Corrente - Uscita / Canale | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 50mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FOD817B300W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FOD817B300W-FT |
H11AV2AM
ON Semiconductor
H11AV2AVM
ON Semiconductor
H11AV2FM
ON Semiconductor
H11AV2FR2M
ON Semiconductor
H11AV2FR2VM
ON Semiconductor
H11AV2FVM
ON Semiconductor
H11AV2M
ON Semiconductor
H11AV2VM
ON Semiconductor
H11G2TVM
ON Semiconductor
H11G2VM
ON Semiconductor
AGLN020V5-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF6016TC144-3N
Intel
A3P600L-1FG484I
Microsemi Corporation
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
5SGXEABN2F45C3N
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C5N
Intel
EPF10K40RC240-4
Intel