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codice articolo del costruttore | FN6660075 |
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Numero di parte futuro | FT-FN6660075 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SaRonix-eCera™ FN |
FN6660075 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Crystal |
Frequenza | XO (Standard) |
Funzione | 66.67MHz |
Produzione | Enable/Disable |
Tensione - Fornitura | CMOS |
Stabilità di frequenza | 3.3V |
Absolute Pull Range (APR) | ±25ppm |
temperatura di esercizio | - |
Corrente - Alimentazione (max) | -40°C ~ 85°C |
Giudizi | 40mA |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Dimensione / Dimensione | 4-SMD, No Lead |
Altezza - Seduto (max) | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
0.071" (1.80mm) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FN6660075 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FN6660075-FT |
FKC500001
Diodes Incorporated
FKC500004
Diodes Incorporated
FKC500007
Diodes Incorporated
FKD300002
Diodes Incorporated
FKD330001
Diodes Incorporated
FN0150023
Diodes Incorporated
FN0180037
Diodes Incorporated
FN0200046
Diodes Incorporated
FN0230001
Diodes Incorporated
FN0360036
Diodes Incorporated
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG484K
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQ208
Microsemi Corporation
EP3C40U484C6
Intel
EP2AGZ300HF40C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100
Microsemi Corporation
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3LG
Intel
EP2SGX30CF780C3N
Intel
EP4SGX230FF35I4N
Intel