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codice articolo del costruttore | FN4800070 |
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Numero di parte futuro | FT-FN4800070 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SaRonix-eCera™ FN |
FN4800070 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Crystal |
Frequenza | XO (Standard) |
Funzione | 48MHz |
Produzione | Enable/Disable |
Tensione - Fornitura | CMOS |
Stabilità di frequenza | 3.3V |
Absolute Pull Range (APR) | ±50ppm |
temperatura di esercizio | - |
Corrente - Alimentazione (max) | -40°C ~ 85°C |
Giudizi | 25mA |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Dimensione / Dimensione | 4-SMD, No Lead |
Altezza - Seduto (max) | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
0.071" (1.80mm) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FN4800070 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FN4800070-FT |
FK7420004
Diodes Incorporated
FK7500006
Diodes Incorporated
FK7500007
Diodes Incorporated
FK7500008
Diodes Incorporated
FK7500009
Diodes Incorporated
FK7770001
Diodes Incorporated
FK7770002
Diodes Incorporated
FK7770003
Diodes Incorporated
FK9830002
Diodes Incorporated
FK9830003
Diodes Incorporated
XC3S2000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA676C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
M2GL025-1VF400
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
5SGXEABK3H40I3LN
Intel
EP1K50QC208-3N
Intel