casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / FM25V02A-DGQ
codice articolo del costruttore | FM25V02A-DGQ |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FM25V02A-DGQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | F-RAM™ |
FM25V02A-DGQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | 40MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (4.5x4) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FM25V02A-DGQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FM25V02A-DGQ-FT |
W25Q256FVEJF TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEJQ
Winbond Electronics
W25Q256FVEJQ TR
Winbond Electronics
W25Q257FVEIF TR
Winbond Electronics
W25Q32BVZPIG
Winbond Electronics
W25Q32DWZEIG
Winbond Electronics
W25Q32DWZEIG TR
Winbond Electronics
W25Q32DWZPIG
Winbond Electronics
W25Q32DWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FVZEIG
Winbond Electronics
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel