casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / FJYF2906PWD
codice articolo del costruttore | FJYF2906PWD |
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Numero di parte futuro | FT-FJYF2906PWD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJYF2906PWD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJYF2906PWD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJYF2906PWD-FT |
FMB100
ON Semiconductor
FMB857B
ON Semiconductor
FMBA56
ON Semiconductor
FMBM5401-SB74001
ON Semiconductor
FMBS5401
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FMBS549
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FMBS5551
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FMBSA06
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FMBSA56
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FJMA790
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XC6SLX150-N3FGG676C
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XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP1S25F672C7N
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10AX027H3F34I2LG
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5SGXEA7H3F35C2LN
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5SGSMD5H3F35C2LN
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EP3SL150F1152C3N
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation