casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / FJPF5021YTU
codice articolo del costruttore | FJPF5021YTU |
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Numero di parte futuro | FT-FJPF5021YTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJPF5021YTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 600mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 600mA, 5V |
Potenza - Max | 40W |
Frequenza - Transizione | 15MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJPF5021YTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJPF5021YTU-FT |
BCP55H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCP5610E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCP5610H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCP5616E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCP5616H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCP6925E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCP6925H6327XTSA1
Infineon Technologies
BDP947E6327HTSA1
Infineon Technologies
BDP947H6327XTSA1
Infineon Technologies
BDP948E6327HTSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel