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codice articolo del costruttore | FJ2500009 |
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Numero di parte futuro | FT-FJ2500009 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SaRonix-eCera™ FJ |
FJ2500009 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Crystal |
Frequenza | XO (Standard) |
Funzione | 25MHz |
Produzione | Enable/Disable |
Tensione - Fornitura | LVCMOS |
Stabilità di frequenza | 3.3V |
Absolute Pull Range (APR) | ±25ppm |
temperatura di esercizio | - |
Corrente - Alimentazione (max) | -40°C ~ 85°C |
Giudizi | 10mA |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Dimensione / Dimensione | 4-SMD, No Lead |
Altezza - Seduto (max) | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
0.039" (1.00mm) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJ2500009 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJ2500009-FT |
FN3710001
Diodes Incorporated
FN4000157
Diodes Incorporated
FN4800068
Diodes Incorporated
FN4800077
Diodes Incorporated
FN5000109
Diodes Incorporated
FN5000110
Diodes Incorporated
FN5000113
Diodes Incorporated
FN5000118
Diodes Incorporated
FN5000121
Diodes Incorporated
FN5000138
Diodes Incorporated
XCV300E-7FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQG176I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8L
Intel
10M04DCF256I7G
Intel
5SGXEB6R3F40C4N
Intel
5SGXEB5R1F43C2N
Intel
A42MX24-TQG176I
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel
5SGXEA3H3F35C2N
Intel