casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Array / FII30-12E
codice articolo del costruttore | FII30-12E |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FII30-12E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FII30-12E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 33A |
Potenza - Max | 150W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 20A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 200µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.2nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | i4-Pac™-5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS i4-PAC™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FII30-12E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FII30-12E-FT |
FII40-06D
IXYS
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75-L1FG676I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-5UWG36CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EP4SGX360NF45I4
Intel
5SGXEA7K3F35C3
Intel
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7
Intel
5AGXFA5H4F35I3N
Intel