casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / FGH80N60FD2TU
codice articolo del costruttore | FGH80N60FD2TU |
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Numero di parte futuro | FT-FGH80N60FD2TU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FGH80N60FD2TU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
Potenza - Max | 290W |
Cambiare energia | 1mJ (on), 520µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 120nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 21ns/126ns |
Condizione di test | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 61ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGH80N60FD2TU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FGH80N60FD2TU-FT |
IRGPS40B120UPBF
Infineon Technologies
IRGPS47160DPBF
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SGP02N120XKSA1
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IKA08N65F5XKSA1
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M2GL005S-1FGG484I
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Microsemi Corporation
AT6002LV-4AC
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EP20K400CF672C9ES
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5SGXMA3K2F40C3N
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EP3SL200H780C4L
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10AX115U4F45I3LG
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