casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / FGH30N6S2D
codice articolo del costruttore | FGH30N6S2D |
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Numero di parte futuro | FT-FGH30N6S2D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FGH30N6S2D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 45A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 108A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
Potenza - Max | 167W |
Cambiare energia | 55µJ (on), 100µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 23nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 6ns/40ns |
Condizione di test | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 46ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGH30N6S2D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FGH30N6S2D-FT |
IGP01N120H2XKSA1
Infineon Technologies
IGP03N120H2XKSA1
Infineon Technologies
IGP30N65F5XKSA1
Infineon Technologies
IGP30N65H5XKSA1
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IHP10T120
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IKP20N60TAHKSA1
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IKP30N65F5XKSA1
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AFS1500-1FGG676I
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