casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / FGA60N65SMD
codice articolo del costruttore | FGA60N65SMD |
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Numero di parte futuro | FT-FGA60N65SMD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FGA60N65SMD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 120A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 180A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 60A |
Potenza - Max | 600W |
Cambiare energia | 1.54mJ (on), 450µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 189nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 18ns/104ns |
Condizione di test | 400V, 60A, 3 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 47ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGA60N65SMD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FGA60N65SMD-FT |
IKW30N65H5XKSA1
Infineon Technologies
IHW20N65R5XKSA1
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IHW15N120E1XKSA1
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IHW20N135R5XKSA1
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IKW40N65F5FKSA1
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M2GL005S-1FGG484I
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Microsemi Corporation
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10AX115U4F45I3LG
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